[发明专利]包括纳米导体层的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201210276177.5 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102983176A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 戈尔拉玛瑞扎·恰吉;马丽安·莫拉迪 | 申请（专利权）人： | 伊格尼斯创新公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 一种具有包括纳米导体层的沟道区的薄膜晶体管。所述纳米导体层可以是由碳形成的纳米管或纳米线的分散的单层。所述薄膜晶体管通常包括通过介电层来绝缘的栅极端子。将所述纳米导体层放置在所述介电层上，并且在所述纳米导体层上方生成一层半导体材料以形成所述薄膜晶体管的所述沟道区。然后将漏极端子和源极端子形成在所述半导体层上。在低场效应水平下，所述薄膜晶体管的操作由所述半导体层来支配，从而提供良好的泄漏电流性能。在高场效应水平下，所述沟道区的电荷转移特性通过所述纳米导体层得以增强，从而增强所述薄膜晶体管的有效迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 纳米 导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其包括：栅极端子、漏极端子和源极端子；以及双层沟道区，其包括：半导体层，其具有紧邻所述漏极端子和所述源极端子的第一侧，和紧邻所述栅极端子的第二侧，以及纳米导体层，其与所述半导体层的所述第二侧直接相邻。
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