[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置无效
| 申请号： | 201210276306.0 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102789951A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;瀬川澄江 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/318;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，其特征在于：包括：在处理容器内配置被处理体；和在使该等离子体生成空间至少与被处理体的表面接触的状态下对被处理体的表面实施等离子体处理，在遮挡等离子体的部件实际不存在于被处理体的周边部的外部部分，并且，在被处理体的外部部分，等离子体存在于被处理体的表面的下方的状态下，实施所述等离子体处理。
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