[发明专利]镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法

摘要

镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法，涉及一种探测器。提供一种用于红外上转换材料检测的镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法。探测器设有外延片，外延片自下而上依次设有n型高掺杂磷化镓单晶衬底、非掺杂的磷化镓缓冲层、非掺杂的GaAs0.15P0.85光吸收层和非掺杂的磷化镓帽层，在外延片的n型高掺杂磷化镓单晶衬底的底部设n型欧姆接触电极；在外延片的非掺杂的磷化镓帽层上依次生长氮化硅掩膜、通过锌扩散形成的p型高掺杂扩散层、p型欧姆接触电极和氮化硅抗反射膜。具有容易制备、成本低廉、对红外光几乎不响应等优点，可用于钞票等的红外上转换材料检测，提高验钞机的验钞能力。

主权项

镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器，其特征在于设有外延片，所述外延片自下而上依次设有n型高掺杂磷化镓单晶衬底、非掺杂的磷化镓缓冲层、非掺杂的GaAs0.15P0.85光吸收层和非掺杂的磷化镓帽层，在外延片的n型高掺杂磷化镓单晶衬底的底部设n型欧姆接触电极；在外延片的非掺杂的磷化镓帽层上依次生长氮化硅掩膜、通过锌扩散形成的p型高掺杂扩散层、p型欧姆接触电极和氮化硅抗反射膜。