[发明专利]一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法无效
| 申请号： | 201210277907.3 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102856188A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡金宝;王金延;刘洋;徐哲;王茂俊;于民;解冰;吴文刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。本发明可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽，并能有效减少对器件造成的损伤，适用于氮化镓基器件的隔离工艺以及其它腐蚀工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：1）在氮化镓基器件表面淀积保护层：2）在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻腐蚀图形；3）刻蚀待腐蚀区域的保护层；4）去除剩余光刻胶；5）对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；6）将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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