[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在有源矩阵型显示装置中，构成电路的薄膜晶体管的电特性很重要，且该电特性影响到显示装置的性能。对反交错型薄膜晶体管使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜，以减少电特性的偏差。为了解决课题，不接触于大气地进行溅射法来连续地形成栅绝缘膜、氧化物半导体层、沟道保护膜的三层。另外，采用在氧化物半导体层中的重叠于沟道保护膜的区域的厚度比接触于导电膜的区域的厚度厚的结构。

主权项

一种半导体装置，包括：在具有绝缘表面的衬底上的栅电极；在所述栅电极上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上的第二绝缘膜；以及在所述氧化物半导体层上的导电膜，其中，所述氧化物半导体层与所述第二绝缘膜彼此接触的第一区域与所述栅电极的至少一部分重叠，并且其中，所述氧化物半导体层与所述导电膜彼此接触的第二区域中的所述氧化物半导体层的厚度比所述第一区域中的所述氧化物半导体层的厚度小。