[发明专利]BiFeO3薄膜的原子层沉积方法

摘要

一种BiFeO3薄膜的原子层沉积方法，包括：清洗薄膜生长的基底；将形成有一层羟基的基底放入生长室并导入含Bi的前体；向生长室中再通入氮气，清除羟基与Bi前体的反应残余物；向生长室导入氧化剂，使氧化剂与含Bi的生成物进行反应；向生长室通入氮气，清除氧化剂与含Bi的生成物的反应残余物；向生长室导入含Fe的前体；向生长室通入氮气，清除羟基与Fe前体的反应残余物；向生长室导入氧化剂，使氧化剂与含Fe的生成物进行反应；向生长室通入氮气，清除氧化剂与含Fe生成物的反应残余物；在基底上形成一层BiFeO3薄膜；在基底上形成多层BiFeO3薄膜；将生长完成的BiFeO3薄膜进行退火，使BiFeO3薄膜结晶，完成铁酸铋薄膜的制备。

主权项

一种BiFeO3薄膜的原子层沉积方法，包括如下步骤：步骤1：清洗薄膜生长的基底，使基底表面形成一层羟基；步骤2：将形成有一层羟基的基底放入生长室，向生长室导入含Bi的前体；步骤3：向生长室中再通入氮气，清除羟基与Bi前体的反应残余物；步骤4：向生长室导入氧化剂，使氧化剂与含Bi的生成物进行反应；步骤5：向生长室通入氮气，清除氧化剂与含Bi的生成物的反应残余物；步骤6：重复步骤2‑5N次；步骤7：向生长室导入含Fe的前体；步骤8：向生长室通入氮气，清除羟基与Fe前体的反应残余物；步骤9：向生长室导入氧化剂，使氧化剂与含Fe的生成物进行反应；步骤10：向生长室通入氮气，清除氧化剂与含Fe生成物的反应残余物；步骤11：重复步骤7‑10M次，在基底上形成一层BiFeO3薄膜；步骤12：重复步骤2‑11多次，在基底上形成多层BiFeO3薄膜；步骤13：将生长完成的BiFeO3薄膜进行退火，使BiFeO3薄膜结晶，完成铁酸铋薄膜的制备。