[发明专利]沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型功率晶体管组件，包含有一半导体衬底、至少一晶体管单元、一栅极金属层、一源极金属层以及一第二栅极导电层。半导体衬底具有至少一个第一沟槽。晶体管单元包含有一设置在第一沟槽内的第一栅极导电层。栅极金属层与源极金属层设置在半导体衬底上。第二栅极导电层设置在第一栅极导电层与源极金属层之间。第二栅极导电层电性连接第一栅极导电层与栅极金属层，且第二栅极导电层与源极金属层以及半导体衬底电性绝缘。借此，各晶体管单元的各栅极的电阻可被降低，且沟槽型功率晶体管组件的栅极输入电阻也可被缩小。

主权项

一种沟槽型功率晶体管组件，其特征在于，包含有：一半导体衬底，具有一第一导电类型，所述半导体衬底具有一有源区以及一周边区，且所述半导体衬底具有至少一个第一沟槽；至少一晶体管单元，设置在所述有源区内，且所述晶体管单元包含有：一第一栅极导电层，设置在所述第一沟槽内；一第一栅极绝缘层，设置在所述第一沟槽内，并介于所述第一栅极导电层与所述半导体衬底之间；一基体掺杂区，具有一第二导电类型，且设置在所述第一沟槽的一侧的所述半导体衬底中；以及一源极掺杂区，具有所述第一导电类型，且设置在所述基体掺杂区中；一栅极金属层，设置在所述周边区的所述半导体衬底上；一源极金属层，设置在所述有源区的所述半导体衬底上；以及一第二栅极导电层，设置在所述第一栅极导电层与所述源极金属层之间，其中所述第二栅极导电层电性连接所述第一栅极导电层与所述栅极金属层，且所述第二栅极导电层与所述源极金属层以及所述半导体衬底电性绝缘。