[发明专利]一种闪存隧道氧化层的制备方法有效
| 申请号： | 201210279231.1 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103578950B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种闪存隧道氧化层的制备方法，包括提供半导体衬底；氮注入或者氮等离子掺杂所述半导体衬底，形成氮掺杂区；高温氧化所述氮掺杂区，形成氮氧化物层；等离子氮化所述氮氧化物层，以形成顶部和底部富含氮的隧道氧化层。本发明所提供的制备隧道氧化物SiON的顶部和底部富含氮的结构，所述隧道氧化物的制备首先在衬底上进行氮离子注入或者掺杂，形成氮化物层，然后对所述氮化物层进行高温氧化，得到氧化物层，最近进行氮化处理，使所述氧化物最上层氮化，得到顶部和底部富含氮的SiON结构，所述方法更加容易控制，效率更高，能更好的满足半导体器件往更小尺寸发展的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 隧道 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存隧道氧化层的制备方法，包括：提供半导体衬底；氮注入或者氮等离子掺杂所述半导体衬底，形成氮掺杂区；高温氧化所述氮掺杂区，以使所述氮掺杂区只有部分被氧化，形成氮氧化物层，所述高温氧化的温度为1000‑1500℃；等离子氮化所述氮氧化物层，以形成顶部和底部富含氮的隧道氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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