[发明专利]一种薰衣草快速繁殖的方法无效
| 申请号： | 201210279425.1 | 申请日： | 2012-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102823492A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 杨波;李洪林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院武汉植物园 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人： | 王敏峰 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薰衣草快速繁殖的方法，其步骤：a、以薰衣草新梢作为外植体，将新梢切成2-3cm长的茎段，用0.1%氯化汞消毒，用无菌水冲洗，再将新梢段切成1-2芽一节，接入配制好的培养基中，这种培养基包括MS基本培养基和附加不同成份的物质；置于温度为20-28℃，光照强度3000～10000Lx，每天光照12-16小时，培养5-7天，其侧芽长出新梢；b、切取培养萌发的新梢，接入配制好的培养基中进行继代培养，每15-25天扩繁一次；c、从扩繁的组培苗上切取3-5cm长的嫩梢插入全光照喷雾插床，直接进行生根和炼苗，30～40天后即可生根移栽；本发明方法易行，操作方便，繁殖、生根速度快，根系健壮、成活率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薰衣草 快速 繁殖 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薰衣草快速繁殖的方法，其步骤是：a.以薰衣草新梢作为外植体，将新梢切成2-3cm长的茎段，用浓度为0.1%氯化汞消毒4-8分钟，用无菌水冲洗3-4次，再将新梢段切成1-2芽一节，接入配制好的培养基中，这种培养基包括MS基本培养基和附加不同成份的物质；置于温度为20-28℃，光照强度3000～10000Lx，每天光照12-16小时，培养5-7天，其侧芽长出新梢；b.切取培养萌发的新梢，接入配制好的培养基中进行继代培养，每15-25天扩繁一次；c.从扩繁的组培苗上切取3-5cm长的嫩梢插入全光照喷雾插床，直接进行生根和炼苗，30～40天后即可生根移栽；所述的MS基本培养基的成份,单位：mg/L：![]()
所述的附加成份：![]()
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