[发明专利]氧化物半导体薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201210279649.2 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102810483A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 邱勇;赵云龙;段炼 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;B05D3/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了涉及薄膜晶体管领域的氧化物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）制备前驱体溶液，（2）制备反应溶液，在前驱体溶液中加入带有OH或者OR基团的催化剂，搅拌使其充分溶解得到反应溶液；（3）制备氧化物半导体薄膜。本发明还公开了采用该方法制备的氧化物半导体薄膜，包含该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管以及该薄膜晶体管的制备方法。本发明的氧化物半导体薄膜的制备方法通过在前驱体溶液中加入催化剂，改变了溶液法制备半导体薄膜的反应过程，解决了现有技术中采用溶液法制备的氧化物薄膜受前驱体成膜性等因素影响形成的薄膜晶体管的性能不理想、载流子迁移率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）制备前驱体溶液将含有目标氧化物金属离子的前驱体材料和稳定剂溶解于溶液中，充分搅拌使其充分溶解，得到前驱体溶液；（2）制备反应溶液在前驱体溶液中加入带有OH或者OR基团的催化剂，搅拌使其充分溶解得到反应溶液；（3）制备氧化物半导体薄膜将步骤（2）制备的反应溶液在涂布面上涂布成膜，经热处理程序得到氧化物半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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