[发明专利]一种纳米碗状蓝宝石图形衬底的制作方法无效

专利信息
申请号: 201210281741.2 申请日: 2012-08-09
公开(公告)号: CN102790150A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 李璟;李鸿渐;张溢 申请(专利权)人: 扬州中科半导体照明有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20
代理公司: 扬州市锦江专利事务所 32106 代理人: 江平
地址: 225009 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种纳米碗状蓝宝石图形衬底的制作方法,涉及半导体生产技术领域。在蓝宝石衬底表面蒸镀氯化铯薄膜;使蓝宝石衬底表面的氯化铯薄膜吸收水分长大形成氯化铯纳米岛;在氯化铯纳米岛的外表面沉积二氧化硅薄膜;制成二氧化硅纳米碗层;再以二氧化硅纳米碗层作为刻蚀掩膜,进行ICP刻蚀,使二氧化硅纳米碗层的各碗形二氧化硅纳米层连接到蓝宝石衬底上;在BOE溶液中超声或浸泡,将蓝宝石衬底表面的二氧化硅纳米碗层去除干净,露出纳米碗状的蓝宝石图形化表面。本发明形成的产品能够降低氮化物外延层中的位错密度,提高外延材料的晶体质量和发光强度。
搜索关键词: 一种 纳米 蓝宝石 图形 衬底 制作方法
【主权项】:
一种纳米碗状蓝宝石图形衬底的制作方法,其特征在于包括以下生产步骤:1)在蒸发台上,在蓝宝石衬底表面蒸镀厚度为100~800纳米的氯化铯薄膜; 2)向蒸发台腔室中充入水汽,使蓝宝石衬底表面的氯化铯薄膜吸收水分长大形成氯化铯纳米岛,使各纳米岛与相邻的纳米岛之间的间隙的占空比为1:1;3)在氯化铯纳米岛的外表面采用PECVD法沉积厚度为0.5~1um的二氧化硅薄膜;4)以去离子水超声5~15分钟,去除蓝宝石表面的氯化铯纳米岛,形成二氧化硅纳米碗层,该二氧化硅纳米碗层为由相连的多个背面分别朝向蓝宝石衬底的碗形二氧化硅纳米材料组成;5)以二氧化硅纳米碗层作为刻蚀掩膜,对蓝宝石表面进行ICP刻蚀,使二氧化硅纳米碗层3的各碗形二氧化硅纳米层连接到蓝宝石衬底上;6)在BOE溶液中超声或浸泡,将蓝宝石衬底表面的二氧化硅纳米碗层去除干净,露出纳米碗状的蓝宝石图形化表面。
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