[发明专利]监测刻蚀工艺的方法无效
申请号: | 201210282547.6 | 申请日: | 2012-08-06 |
公开(公告)号: | CN103021895A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 邱志欣;赵启仲;何孝恒 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/306 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种监测刻蚀工艺的方法,其先以通气体步骤将不会与具有特定组成的化学液反应的气体以气体管路装置通入化学液中,并得到对应于化学液组成的第一平衡压力,再将待刻蚀的晶圆半成品放入化学液中进行刻蚀步骤,接着进行气体压力侦测步骤记录该气体在该晶圆半成品完成刻蚀步骤后的第二平衡压力,并配合计算步骤计算气体平衡压力差而得知化学液经过刻蚀后的组成变化;本发明不需以另外的控片刻蚀、量测等工艺来监测化学液的刻蚀能力,且可即时又简易地由气体平衡压力的变化来监测化学液的组成成分,进而缩短整体工艺时间、降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 监测 刻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种监测刻蚀工艺的方法,其特征在于:该方法包含:一个通气体步骤,将一种不会与特定组成的化学液产生化学反应的气体以一个气体管路装置通入该化学液中,并得到一个对应于该化学液组成成分的第一平衡压力;一个刻蚀步骤,将至少一片晶圆半成品浸入该化学液中进行刻蚀,并在刻蚀完毕取出该晶圆半成品进行后续工艺;一个气体压力侦测步骤,量测经该气体管路装置通入该化学液中的气体压力值,得到一个对应于该化学液经刻蚀后组成成分变化的第二平衡压力;及一计算步骤,计算该第一、二平衡压力的差值而得到该化学液经过刻蚀后的组成成份变化量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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