[发明专利]金属栅极半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体制造方法包括在衬底的第一区域上形成第一功函数金属层以及在衬底的第二区域上和第一功函数金属层上形成金属层。在金属层上形成伪层。然后图案化这些层，从而在衬底的第一区域中形成第一栅极结构并且在第二区域中形成第二栅极结构。然后去除伪层，从而暴露出被处理的金属层。该处理可以是氧处理，该氧处理使得金属层充当第二功函数层。本发明还提供金属栅极半导体器件及其制造方法。

主权项

一种方法，包括：在衬底的第一区域上形成第一功函数金属层；在所述第一区域中的所述第一功函数金属层上以及所述衬底的第二区域上形成金属层；在所述金属层上形成伪层；使所述伪层，所述第一功函数金属层，以及所述金属层图案化，从而在所述衬底的所述第一区域中形成第一栅极结构而在所述衬底的所述第二区域中形成第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构包括所述伪层、所述第一功函数金属层以及所述金属层，而所述第二栅极结构包括所述伪层和所述金属层；在形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之后，去除所述伪层，从而暴露出所述金属层；以及处理所述金属层。