[发明专利]一种沟槽栅型MOS管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅型MOS管，包括：P型外延层或P型硅衬底形成的N阱，N阱中形成有N+注入层，N阱的一侧并列排布有多个彼此串联的MOS结构；所述MOS结构包括：形成在所述P型外延层或P型硅衬底中沟槽内的栅氧化层，栅氧化层中形成有多晶硅栅，栅氧化层的一侧形成有N+注入层；每个多晶硅栅与其旁侧MOS结构的N+注入层相连，N阱中的N+注入层引出作为本器件的一连接端，最远离N阱的MOS结构的N+注入层引出作为本器件另一连接端。本发明还公开了一种所述沟槽栅型MOS管的制造方法。本发明的槽栅型MOS管与传统高压二极管器件比较，在达到耐高压击穿的功能的同时能得到较小正向导通电压，能实更大电流供电。

主权项

一种沟槽栅型MOS管，其特征是，包括：P型外延层或P型硅衬底中形成的N阱，N阱中形成有N+注入层，N阱一侧的P型外延层或P型硅衬底中并列排布有多个彼此串联的MOS结构；所述MOS结构包括：形成在所述P型外延层或P型硅衬底中沟槽内的栅氧化层，栅氧化层中形成有多晶硅栅，栅氧化层的一侧形成有N+注入层；每个多晶硅栅与其旁侧MOS结构的N+注入层相连，N阱中的N+注入层引出作为本器件的一连接端，P型外延层或P型硅衬底中最远离N阱的N+注入层引出作为本器件另一连接端。