[发明专利]一写多读式存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210283311.4 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102810635A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 袁方;张志刚;潘立阳;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种一写多读式存储器件及其制造方法。该存储器件包括：上电极；下电极；和形成在所述上电极和下电极之间的高k介质层。其中，所述高k介质层即为存储信息的物理层。根据本发明实施例的一写多读式存储器件具有良好的存储性能，并且其制备方法的每一步骤均是半导体领域成熟的工艺，兼容性高，适合大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一写多读式 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种一写多读式存储器件，包括：上电极；下电极；和形成在所述上电极和下电极之间的高k介质层。
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