[发明专利]具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210283318.6 | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN102790121A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 陈松岩;李欣;刘蕊;刘晶晶;孙钦钦 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/18 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层;第一结Ge子电池构建在Ge衬底上,Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区,第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接,第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接,第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接,接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池,实现电池的电流匹配和晶格匹配,解决电流不匹配的问题,还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 两结锗子 电池 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
具有两结锗子电池的InGaP/InGaAs/Ge/Ge四结太阳能电池,其特征在于设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层;所述第一结Ge子电池构建在Ge衬底上,Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区,所述第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接,所述第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接,所述第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接,所述接触层设在第四结InGaP子电池上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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