[发明专利]具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210283318.6 申请日: 2012-08-09
公开(公告)号: CN102790121A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 陈松岩;李欣;刘蕊;刘晶晶;孙钦钦 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01L31/0687 分类号: H01L31/0687;H01L31/18
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层;第一结Ge子电池构建在Ge衬底上,Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区,第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接,第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接,第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接,接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池,实现电池的电流匹配和晶格匹配,解决电流不匹配的问题,还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。
搜索关键词: 具有 两结锗子 电池 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
具有两结锗子电池的InGaP/InGaAs/Ge/Ge四结太阳能电池,其特征在于设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层;所述第一结Ge子电池构建在Ge衬底上,Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区,所述第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接,所述第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接,所述第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接,所述接触层设在第四结InGaP子电池上。
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