[发明专利]一种半导体外延片载片盘及其支撑装置及MOCVD反应室有效
申请号: | 201210283863.5 | 申请日: | 2012-08-10 |
公开(公告)号: | CN102758192A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 魏唯;罗才旺;贾京英;陈特超;孙雪平;吕文利 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;李发军 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体外延片的载片盘及其支撑装置及一种MOCVD反应室,所述半导体外延片的载片盘的上表面设有承载基片的载片腔,所述载片盘的下表面靠近载片盘外表面的位置具有与支承轴上端面相耦合的环形结构。所述支撑装置包括与载片盘耦合连接的支承轴,该支承轴为空心轴。所述MOCVD反应室包括环形的反应室壁,位于该反应室壁内侧的支承轴,装在支承轴顶端的载片盘,该载片盘上方设有喷淋头,其结构特点是,所述载片盘为上述的半导体外延片的载片盘,所述支承轴为上述的空心轴,所述空心轴内装有固定轴,所述载片盘下方设有加热器。使用这种方式的载片盘结构简单,简化了载盘的制造工艺,同时这种载盘在满足强度的前提下可以做的更薄,既节省了材料,又提高了载片盘的温度变化速率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 外延 片载片盘 及其 支撑 装置 mocvd 反应 | ||
【主权项】:
一种半导体外延片的载片盘,该载片盘(2)上表面设有承载基片(3)的载片腔,其特征是,所述载片盘(2)的下表面靠近载片盘外表面(21)的位置具有与支承轴(6)上端面相耦合的环形结构。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的