[发明专利]一种半导体外延片载片盘及其支撑装置及MOCVD反应室有效

专利信息
申请号: 201210283863.5 申请日: 2012-08-10
公开(公告)号: CN102758192A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 魏唯;罗才旺;贾京英;陈特超;孙雪平;吕文利 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 马强;李发军
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体外延片的载片盘及其支撑装置及一种MOCVD反应室,所述半导体外延片的载片盘的上表面设有承载基片的载片腔,所述载片盘的下表面靠近载片盘外表面的位置具有与支承轴上端面相耦合的环形结构。所述支撑装置包括与载片盘耦合连接的支承轴,该支承轴为空心轴。所述MOCVD反应室包括环形的反应室壁,位于该反应室壁内侧的支承轴,装在支承轴顶端的载片盘,该载片盘上方设有喷淋头,其结构特点是,所述载片盘为上述的半导体外延片的载片盘,所述支承轴为上述的空心轴,所述空心轴内装有固定轴,所述载片盘下方设有加热器。使用这种方式的载片盘结构简单,简化了载盘的制造工艺,同时这种载盘在满足强度的前提下可以做的更薄,既节省了材料,又提高了载片盘的温度变化速率。
搜索关键词: 一种 半导体 外延 片载片盘 及其 支撑 装置 mocvd 反应
【主权项】:
一种半导体外延片的载片盘,该载片盘(2)上表面设有承载基片(3)的载片腔,其特征是,所述载片盘(2)的下表面靠近载片盘外表面(21)的位置具有与支承轴(6)上端面相耦合的环形结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所,未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210283863.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top