[发明专利]BST薄膜经时击穿的调控方法无效
| 申请号： | 201210284424.6 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102820420A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吴传贵;蔡光强;罗文博;彭强祥;孙翔宇;柯淋;张万里;王小川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L37/02 | 分类号： | H01L37/02 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | BST薄膜经时击穿的调控方法，属于电子元器件技术领域，本发明包括下述步骤：A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；B、对另一个输入电极施加方波偏压。本发明可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态下，不会影响器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | bst 薄膜 击穿 调控 方法 | ||
【主权项】：
BST薄膜经时击穿的调控方法，其特征在于，包括下述步骤：A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；B、对另一个输入电极施加方波偏压。
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