[发明专利]成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置及半导体装置

摘要

本发明提供一种成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置、及半导体装置。半导体装置包括场效应晶体管、及具有柱状形状的电容器，其中，该半导体装置还包括：第1电极，其与上述场效应晶体管的杂质扩散区域电连接且具有柱状形状；电介质膜，其形成于上述第1电极的至少侧面上；第2电极，其形成于上述电介质膜上；支承膜，其由添加有硼的氮化硅膜形成，该支承膜沿与具有上述柱状形状的上述第1电极的长度方向相交叉的方向延伸，贯穿上述第2电极的至少一部分且将上述第1电极连结起来，利用该半导体装置能够解决本发明的问题。

主权项

一种成膜方法，其在成膜装置中进行，该成膜装置包括：反应管，其用于容纳用于对多个基板进行保持的基板保持部；第1气体供给部，其用于向上述反应管供给含有硅的第1原料气体，且具有用于对上述第1原料气体向上述反应管的供给和停止供给进行控制的第1开闭阀；第2气体供给部，其用于向上述反应管供给含有硼的第2原料气体，且具有用于对上述第2原料气体向上述反应管的供给和停止供给进行控制的第2开闭阀；第3气体供给部，其用于向上述反应管供给含有氮的第3原料气体，且具有用于对上述第3原料气体向上述反应管的供给和停止供给进行控制的第3开闭阀；第4开闭阀，其设于上述反应管和与该反应管连接的排气部之间，用于使上述反应管与上述排气部连通或阻断上述反应管与上述排气部之间的连通；该成膜方法通过反复进行以下步骤来形成添加有硼的氮化硅膜，即：规定的次数的氮化硅层沉积步骤，在该氮化硅层沉积步骤中，在关闭上述第4开闭阀的情况下，打开上述第1开闭阀，向上述反应管供给上述第1原料气体，在经过第1期间后，关闭上述第1开闭阀，将供给到上述反应管内的上述第1原料气体封入上述反应管，在经过第2期间后，打开上述第4开闭阀，对上述反应管内进行排气，在经过第3期间后，打开上述第3开闭阀，供给上述第3原料气体，由此，在上述基板上形成氮化硅层；规定的次数的氮化硼层沉积步骤，在该氮化硼层沉积步骤中，在关闭上述第4开闭阀的情况下，打开上述第2开闭阀，向上述反应管供给上述第2原料气体，在经过第1期间后，关闭 上述第1开闭阀，将供给到上述反应管内的上述第2原料气体封入上述反应管，在经过第2期间后，打开上述第4开闭阀，对上述反应管内进行排气，在经过第3期间后，打开上述第3开闭阀，供给上述第3原料气体，由此，在上述基板上形成氮化硼层。