[发明专利]具有多级单元的相变存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210285441.1 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103066203A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 金珍赫;蔡洙振;权宁锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓琼;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有多级单元的相变存储器件及其制造方法。所述器件包括：第一相变材料层，从加热电极向第一相变材料层提供电流；第二相变材料层，所述第二相变材料层被形成为与第一相变材料层具有连续性且具有与所述第一相变材料层不同的宽度，并且从加热电极向第二相变材料层提供电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多级 单元 相变 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器件，包括：第一相变材料层，从加热电极向所述第一相变材料层提供电流；以及第二相变材料层，所述第二相变材料层被形成为与所述第一相变材料层具有连续性且具有与所述第一相变材料层不同的宽度，并且从加热电极向所述第二相变材料层提供电流。
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