[发明专利]FinFET及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210285604.6 申请日: 2012-08-10
公开(公告)号: CN103579004A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 朱慧珑;许淼 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了一种FinFET及其制造方法,该FinFET包括:半导体衬底;半导体衬底上的应力作用层;应力作用层上的半导体鳍片,该半导体鳍片包括沿着其长度方向延伸的两个侧壁;半导体鳍片的侧壁上的栅极介质层;栅极介质层上的栅极导体层;以及半导体鳍片的两端处的源区和漏区,其中应力作用层在半导体鳍片下方与半导体鳍片平行延伸,使得应力作用层沿着半导体鳍片的长度方向对半导体鳍片施加应力。
搜索关键词: finfet 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造FinFET的方法,包括:在半导体衬底上形成应力作用层;在应力作用层上形成半导体层;采用半导体层形成半导体鳍片,该半导体鳍片包括沿着其长度方向延伸的两个侧壁;在半导体鳍片的侧壁上形成栅极介质层;在栅极介质层上形成栅极导体层,使得栅极介质层夹在栅极导体层和半导体鳍片之间;以及在半导体鳍片的两端形成源区和漏区,其中应力作用层在半导体鳍片下方半导体鳍片平行延伸,并且应力作用层沿着半导体鳍片的长度方向对半导体鳍片施加应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210285604.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code