[发明专利]FinFET及其制造方法有效
申请号: | 201210285604.6 | 申请日: | 2012-08-10 |
公开(公告)号: | CN103579004A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 朱慧珑;许淼 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种FinFET及其制造方法,该FinFET包括:半导体衬底;半导体衬底上的应力作用层;应力作用层上的半导体鳍片,该半导体鳍片包括沿着其长度方向延伸的两个侧壁;半导体鳍片的侧壁上的栅极介质层;栅极介质层上的栅极导体层;以及半导体鳍片的两端处的源区和漏区,其中应力作用层在半导体鳍片下方与半导体鳍片平行延伸,使得应力作用层沿着半导体鳍片的长度方向对半导体鳍片施加应力。 | ||
搜索关键词: | finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造FinFET的方法,包括:在半导体衬底上形成应力作用层;在应力作用层上形成半导体层;采用半导体层形成半导体鳍片,该半导体鳍片包括沿着其长度方向延伸的两个侧壁;在半导体鳍片的侧壁上形成栅极介质层;在栅极介质层上形成栅极导体层,使得栅极介质层夹在栅极导体层和半导体鳍片之间;以及在半导体鳍片的两端形成源区和漏区,其中应力作用层在半导体鳍片下方半导体鳍片平行延伸,并且应力作用层沿着半导体鳍片的长度方向对半导体鳍片施加应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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