[发明专利]RF LDMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种RF LDMOS器件，在P外延的右部形成有一N型漏端轻掺杂区，N型漏端轻掺杂区左侧的P外延上方形成有栅氧、多晶硅栅；法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，该单层金属层同多晶硅栅、N型漏端轻掺杂漂移区之间为介质层，漂移部呈从左端到右端逐级升高的阶梯状。本发明还公开了该RF LDMOS器件的制造方法。本发明能使RF LDMOS器件具有较高击穿电压并且制造工艺简单。

主权项

一种RF LDMOS器件，其特征在于，在P外延的右部形成有一N型漏端轻掺杂区，在P外延左部形成一P阱，在N型漏端轻掺杂漂移区左侧到所述P阱右部上方形成有栅氧，所述栅氧上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上方、侧面及所述N型漏端轻掺杂漂移区左部上方形成有介质层，所述介质层右部上方形成有法拉第盾；其特征在于，所述法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，该单层金属层同多晶硅栅、N型漏端轻掺杂漂移区之间为介质层，漂移部呈从左端到右端逐级升高的阶梯状。