[发明专利]改善硅片翘曲度的方法有效
| 申请号： | 201210287239.2 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103633012B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;许升高;朱东园 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善硅片翘曲度的方法，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成金属前介质层，在该金属前介质层中形成贯穿金属前介质层的接触孔；步骤二、在所述金属前介质层上和接触孔中淀积一层金属连接层；步骤三、对所述金属连接层进行快速热退火处理；步骤四、进行等离子体刻蚀，去除位于所述金属连接层表面的自然形成的金属自然氧化层；步骤五、在所述金属连接层的上表面淀积氮化钛阻挡层。本发明能有效改善硅片的翘曲度，降低硅片生产流片的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 硅片 曲度 方法 | ||
【主权项】：
一种改善硅片翘曲度的方法，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成金属前介质层，在该金属前介质层中形成贯穿金属前介质层的接触孔；步骤二、在所述金属前介质层上和接触孔中淀积一层金属连接层；其特征在于，还包括：步骤三、对所述金属连接层进行快速热退火处理；步骤四、进行等离子体刻蚀，去除位于所述金属连接层表面的自然形成的金属自然氧化层；步骤五、在所述金属连接层的上表面淀积氮化钛阻挡层；所述氮化钛阻挡层的厚度为![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
