[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210287382.1 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594362B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括在半导体衬底上形成硬掩模图形；以所述硬掩模图形为掩模图形化所述半导体衬底，形成多个鳍；在所述鳍与半导体衬底围成的凹槽中形成介质层；通过湿法蚀刻图形化所述鳍，基于湿法蚀刻中化学溶液对所述鳍不同晶面腐蚀速率的不同，使所述鳍露出腐蚀速率最低的晶面；去除所述硬掩模图形；形成覆盖于所述鳍上的栅极。相应地，本发明还提供一种鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的鳍；形成于位于鳍之间的半导体衬底上的介质层；所述介质层露出的所述鳍的侧壁为晶面；覆盖于所述鳍上的栅极。本发明可以使鳍式场效应晶体管具有良好的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成硬掩模图形；以所述硬掩模图形为掩模图形化所述半导体衬底，形成多个鳍；在所述鳍与半导体衬底围成的凹槽中形成介质层；通过湿法蚀刻图形化所述介质层露出的鳍，基于湿法蚀刻中化学溶液对所述鳍不同晶面腐蚀速率的不同，使所述鳍露出腐蚀速率最低的晶面；去除所述硬掩模图形；形成覆盖于所述鳍露出的刻蚀速率最低晶面的栅极；其中，在图形化半导体衬底以形成鳍的步骤中，在鳍靠近硬掩模图形的侧壁上形成保护层；在所述图形化所述鳍的步骤之前还包括：去除所述保护层；去除所述保护层后图形化所述鳍，所述图形化的鳍在栅极延伸方向上呈条形，在垂直于所述栅极延伸方向上呈正梯形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
