[发明专利]CDSEM校准方法

摘要

一种CDSEM校准方法，包括：利用除CDSEM以外的设备获取若干图案的参考关键尺寸；利用校准精度符合要求的CDSEM获取若干图案的CDSEM关键尺寸，将获取的若干参考关键尺寸、CDSEM关键尺寸做线性回归分析，获得一元线性回归方程，据此知道参考关键尺寸与CDSEM关键尺寸之间的确切关系，还可以获取预测CDSEM关键尺寸，以作为CDSEM再次校准的判断标准之一。在后续多次CDSEM校准过程中，普通技术人员可以依照所述方法对CDSEM进行再次校准，而不用资深技术人员来完成每次CDSEM的校准工作，降低了半导体制程的成本，并可根据线性回归方程的截距来对CDSEM的焦距进行进一步的校正。

主权项

一种CDSEM校准方法，其特征在于，提供形成有M个图案的晶圆，利用除CDSEM以外的设备对所述M个图案进行测量，获取M个参考关键尺寸；提供校准精度符合要求的CDSEM，利用所述CDSEM对所述M个图案中的N个图案进行测量，获取N个CDSEM关键尺寸，利用所述N个CDSEM关键尺寸及相对应的N个参考关键尺寸做线性回归分析，获得一元线性回归方程Y0=A0X0+B0及线性相关系数平方值R02，X0表示参考关键尺寸，Y0表示CDSEM关键尺寸，A0表示斜率，B0表示截距，且R02≥0.95；将所述M个参考关键尺寸中除所述N个参考关键尺寸之外的M‑N个参考关键尺寸代入Y0=A0X0+B0中，获取未进行过CDSEM测量的M‑N个图案的预测CDSEM关键尺寸；所述校准精度符合要求的CDSEM使用一段时间之后，执行下述步骤：a、调整CDSEM的焦距，直至在CDSEM上获得清晰的SEM图像，然后调整CDSEM的放大倍率；b、利用CDSEM对所述M‑N个图案中未进行过CDSEM测量的部分图案进行测量，对所述部分图案的CDSEM关键尺寸及相对应的参考关键尺寸做线性回归分析，获得一元线性回归方程Y=AX+B及线性相关系数平方值R2，X表示参考关键尺寸，Y表示CDSEM关键尺寸，A表示斜率，B表示截距，计算所述部分图案的CDSEM关键尺寸与所述部分图案的预测CDSEM关键尺寸的差的绝对值，若所述差的绝对值小于1nm、R2≥0.95且|B‑B0|≤1，则CDSEM的校准精度符合要求；若所述差的绝对值大于1nm、R2≥0.95且|B‑B0|＞1，则CDSEM的校准精度不符合要求。