[发明专利]制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器的方法

摘要

本发明涉及制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器的方法。本发明公开了一种非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）装置以及一种以镶嵌式自对准F-RAM装置的形式制造非易失性F-RAM装置的方法，镶嵌式自对准F-RAM装置包括建立在氧化物沟槽的侧壁上的PZT电容器，且允许同时形成两个铁电侧壁电容器。

主权项

一种在衬底上形成半导体装置的方法，所述衬底具有形成在其平坦表面中的至少两个接头柱，该方法包括：形成覆盖所述平坦表面的绝缘层；选择性地去除所述绝缘层的一部分和所述平坦表面的选定部分，以形成开口，所述开口延伸到所述至少两个接头柱，且部分地在所述至少两个接头柱之间；在所述至少两个接头柱上形成邻接所述开口的侧面的第一间隔件；形成底部电极间隔件，每个底部电极间隔件邻接所述第一间隔件在所述开口中接触所述至少两个接头柱中的相应一个接头柱；在所述至少两个接头柱和所述底部电极间隔件之间，在所述开口中，形成绝缘盖；在所述绝缘层、所述绝缘盖上和所述底部电极间隔件之间，在所述开口中，形成铁电介电层；在所述开口内形成包括第一侧部和第二侧部的一对顶部电极，所述第一侧部和所述第二侧部通过所述铁电介电层从所述底部电极间隔件中的相应一个侧向地移位；在所述顶部电极之间和所述铁电介电层上形成附加的绝缘层；以及在所述附加的绝缘层内，形成通向所述一对顶部电极中的相应的顶部电极的第一接头和第二接头。