[发明专利]特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构有效

专利信息
申请号: 201210287662.2 申请日: 2012-08-13
公开(公告)号: CN103595401A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 黄立朝;刘冰;周景晖;程学农 申请(专利权)人: 无锡华润矽科微电子有限公司
主分类号: H03K23/00 分类号: H03K23/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构,属于电路结构技术领域。该特高频双模预分频电路结构包括反馈回路和多级分频回路,反馈回路的输入端连接待分频的输入信号,反馈回路的输出端连接多级分频回路的输入端,多级分频回路的输出端为分频信号输出端。从而提供一种使用ECL电路结构替代CMOS工艺实现的预分频结构。并进一步对集成电路芯片结构进行改进,在P型衬底层和金属层之间增加N型阱,N型阱与金属层和衬底层之间分别形成有第一寄生电容和第二寄生电容,从而实现有效提升发射极耦合逻辑电路结构预分频器的频响特性,提高电路在特高频信号下工作的响应速度的特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构。
搜索关键词: 高频 双模 分频 电路 结构 及其 集成电路 芯片
【主权项】:
一种特高频双模预分频电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括反馈回路和多级分频回路,所述的反馈回路的输入端连接待分频的输入信号,所述的反馈回路的输出端连接所述的多级分频回路的输入端,所述的多级分频回路的输出端为分频信号输出端。
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