[发明专利]镧铈掺杂制备低成本烧结钕铁硼的方法有效
申请号: | 201210288015.3 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN102842400A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 周军;张瑜;孙红军;宋伟;刘军 | 申请(专利权)人: | 中钢集团安徽天源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/08;B22F3/16;B22F1/00 |
代理公司: | 马鞍山市金桥专利代理有限公司 34111 | 代理人: | 阮爱农 |
地址: | 243000 安徽省马*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了镧铈掺杂制备低成本烧结钕铁硼的方法,其具体步骤为:1)利用速凝甩片真空感应熔炼炉,将钕铁硼材料熔炼,制备出0.3~0.5mm厚度的钕铁硼合金薄片;2)利用氢破炉,将钕铁硼合金薄片破碎成110~150μm左右的钕铁硼合金粉末;3)将得到的粉末经过气流磨破碎成3.5~4.5μm的钕铁硼合金粉末;4)将镧铈合金粉末加入到粉末中,使两种粉末均匀混合。5)利用磁场压机,将粉末在磁场下取向成型,再经过冷等静压,得到密度为4.6~4.8g/cm3的压坯;6)将压坯置于真空烧结炉中烧结,烧结磁体为(PrNdGd)2936~29.65(LaCe)0.99~1.96(FeCoAlCu)67.63~68.3B1.05~10.6。本发明通过添加特殊工艺处理的镧铈粉末替代钕铁硼中的富钕相,避免镧铈过多进入钕铁硼主相,影响磁性能,达到既提高产品性能又降低产品成本的作用。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 制备 低成本 烧结 钕铁硼 方法 | ||
【主权项】:
镧铈掺杂制备低成本烧结钕铁硼的方法,其具体步骤为:1)利用速凝甩片真空感应熔炼炉,将准备好的钕铁硼材料在氩气保护下,在1400~1600℃温度下熔炼,熔化的钢液浇铸到旋转的冷却铜棍上,制备出0.3~0.5mm厚度的钕铁硼合金薄片;2)利用氢破炉,在0.1MPa氢气压下吸氢,550℃温度下脱氢,将钕铁硼合金薄片破碎成110~150μm左右的钕铁硼合金粉末;3)将步骤2)得到的粉末进一步经过气流磨破碎成3.5~4.5μm的钕铁硼合金粉末;4)将4~8μm的镧铈合金粉末加入到步骤3)得到的粉末中,利用三维混料机混粉3小时,保证两种粉末均匀混合;5)利用磁场压机,将步骤4)中混合均匀的粉末在1.7T的磁场下取向成型,再经过冷等静压,压力为200MPa,得到密度为4.6~4.8g/cm3的压坯;6)将压坯置于真空烧结炉中,在1070~1100℃烧结保温3~4小时,在850~950℃一级回火保温2~3小时,在500~600℃二级回火保温3~4小时,最终获得烧结磁体,钕铁硼成分为(PrNdGd)2936~29.65 (LaCe)0.99~1.96(FeCoAlCu)67.63~68.3B1.05~10.6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中钢集团安徽天源科技股份有限公司,未经中钢集团安徽天源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210288015.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。