[发明专利]一种掺铕焦硅酸钇红色发光纳米带的制备方法有效
申请号: | 201210288286.9 | 申请日: | 2012-08-10 |
公开(公告)号: | CN102817109A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 董相廷;张誉腾;毕菲;王进贤;于文生;刘桂霞;浦利 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | D01F9/08 | 分类号: | D01F9/08;D01F1/10;D01D5/00;D01D10/02;C09K11/79;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种掺铕焦硅酸钇红色发光纳米带的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。现有技术制备了Y2Si2O7:5%Eu3+微米或纳米颗粒。本发明包括三个步骤:(1)配制纺丝液;(2)采用静电纺丝技术制备PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3+Si(C2H5O)4]复合纳米带;(3)制备Y2Si2O7:5%Eu3+纳米带。将复合纳米带进行热处理,得到Y2Si2O7:5%Eu3+纳米带,具有良好的结晶性,平均宽度为620nm,厚度为130nm,长度大于50μm。Y2Si2O7:5%Eu3+纳米带是一种新型红色纳米发光材料。本发明的制备方法简单易行,可以批量生产,具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺铕焦 硅酸 红色 发光 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种掺铕焦硅酸钇红色发光纳米带的制备方法,其特征在于,采用静电纺丝技术,使用聚乙烯吡咯烷酮PVP为高分子模板剂,采用N,N‑二甲基甲酰胺DMF和乙醇CH3CH2OH为溶剂,制备产物为掺铕焦硅酸钇Y2Si2O7:5%Eu3+纳米带,其步骤为:(1)配制纺丝液钇源和铕源使用的是氧化钇Y2O3和氧化铕Eu2O3,高分子模板剂采用聚乙烯吡咯烷酮PVP,采用N,N‑二甲基甲酰胺DMF和乙醇CH3CH2OH为溶剂,称取一定量的氧化钇Y2O3和氧化铕Eu2O3,两者的摩尔比为95∶5,即铕离子的摩尔百分数为5%,用稀硝酸HNO3溶解后蒸发,得到Y(NO3)3和Eu(NO3)3混合晶体,加入正硅酸乙酯Si(C2H5O)4,使Y3++Eu3+与Si(C2H5O)4的摩尔比为1∶1,再加入N,N‑二甲基甲酰胺DMF、乙醇和聚乙烯吡咯烷酮PVP,于室温下磁力搅拌6h,并静置3h,形成纺丝液,该纺丝液各组成部分的质量百分数为:盐含量10%,PVP含量10%,DMF含量40%,乙醇含量40%;(2)制备PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3+Si(C2H5O)4]复合纳米带将配制好的纺丝液加入纺丝装置的储液管中,进行静电纺丝,喷头内径1.0mm,调整喷头与水平面垂直,施加13kV的直流电压,固化距离20cm,室温15~25℃,相对湿度为50%~70%,得到PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3+Si(C2H5O)4]复合纳米带;(3)制备Y2Si2O7:5%Eu3+纳米带将所述的PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3+Si(C2H5O)4]复合纳米带放到程序控温炉中进行热处理,升温速率为1℃/min,在1000℃恒温8h,再以1℃/min的速率降温至200℃,之后随炉体自然冷却至室温,得到Y2Si2O7:5%Eu3+纳米带,平均宽度为620nm,厚度为130nm,长度大于50μm。
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