[发明专利]一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201210289994.4 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102786060A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;李佳艳;李亚琼;贾鹏军 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 徐淑东 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于冶金提纯技术领域，特别涉及一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法。该方法首先对工业硅和原铝进行清洗预处理，然后在氩气保护下使原铝完全熔化，之后向熔融的铝液中加入工业硅，升温至1100-1200℃进行合金化熔炼，完全熔化后加入金属或金属氧化物，保温之后缓慢冷却，硼化物和初晶硅先后析出并沉积在坩埚底部，将坩埚上部铝硅熔体倾倒并贮存，最后对初晶硅进行无机酸处理，去除残余金属及硼化物，之后进行烘干处理，即可得到硼含量低的多晶硅。本发明在Si-Al合金提纯的基础上加入Fe、Ti、TiO2等微量金属或金属氧化物，从而达到去除硅中硼杂质，使硼含量达到满足太阳能级硅的要求，实用性强，工业生产周期短，节能降耗环保，技术稳定，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 合金 化分 提纯 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法，其特征是：第一步前处理：首先对杂质硼含量高的工业硅和原铝进行清洗预处理；第二步合金化熔炼：然后将原铝放入感应炉中，在氩气保护700‑800℃下使原铝完全熔化，之后向熔融的铝液中加入工业硅，升温至1100‑1200℃进行合金化熔炼，完全熔化后加入金属或金属氧化物，保温2‑4h；第三步分凝提纯：缓慢冷却至580~620℃，硼化物和初晶硅先后析出并沉积在坩埚底部，坩埚上部为铝硅熔体，将铝硅熔体倾倒并贮存；第四步后处理：最后对初晶硅进行无机酸处理，去除残余金属及硼化物，之后进行烘干处理，即可得到硼含量低的多晶硅。
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