[发明专利]厚膜材料电子元器件及制备方法无效
| 申请号： | 201210290315.5 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102842530A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 吴传贵;陈冲;彭强祥;曹家强;罗文博;帅垚;张万里;王小川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/01 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 厚膜材料电子元器件，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括带有凹槽的衬底、阻挡层、底电极、热释电材料和上电极，在上电极和底电极之间，设置有隔离层，上电极跨越隔离层和隔离层下方的底电极，连接到热释电材料。本发明可以有效防止电极间的短路，使热释电厚膜探测器获得良好的性能，且提高了探测器的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 电子元器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
厚膜材料电子元器件，包括带有凹槽的衬底[101]、阻挡层[102]、底电极[103]、热释电材料[104]和上电极[106]，其特征在于，在上电极[106]和底电极[103]之间，设置有隔离层[105]，上电极跨越隔离层[105]和隔离层[105]下方的底电极，连接到热释电材料[104]。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210290315.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种显示器用的底座壁挂一体式机构
- 下一篇：显示器及其可连动式支撑装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
