[发明专利]硅杯凹槽结构热释电厚膜探测器的制备方法无效
| 申请号： | 201210290319.3 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102820421A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吴传贵;陈冲;彭强祥;曹家强;罗文博;帅垚;张万里;王小川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L37/02 | 分类号： | H01L37/02;G01J5/10 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 硅杯凹槽结构热释电厚膜探测器，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括上表面设有凹槽的硅衬底、底电极和上电极，凹槽内填充有热释电厚膜材料，底电极通过凹槽侧壁引出，所述硅衬底上表面与设置有底电极的凹槽侧壁的夹角为钝角。本发明有利于提高厚膜的质量和探测器的成品率，使热释电厚膜探测器获得良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 凹槽 结构 热释电厚膜 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
硅杯凹槽结构热释电厚膜探测器，包括上表面设有凹槽的硅衬底[201]、底电极[203]和上电极[205]，凹槽内填充有热释电厚膜材料[204]，底电极[203]通过凹槽侧壁引出，其特征在于，所述硅衬底[201]上表面与设置有底电极[203]的凹槽侧壁的夹角为钝角。
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