[发明专利]一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔版图有效
| 申请号： | 201210290615.3 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103633135A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李陆萍 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔版图，具有沟槽、接触孔以及掩膜版。其是将屏蔽栅多晶硅引出区接触孔与掩膜版覆盖交叠的区域删除，使生产过程中可能产生的栅极导电多晶硅的刻蚀残留不与屏蔽栅多晶硅的接触孔接触，从而解决了栅源短接的失效模式的问题，不提高制造成本，保证了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 双层 功率 mos 器件 接触 版图 | ||
【主权项】：
一种沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔版图，具有沟槽、接触孔及掩膜版，其特征在于：从俯视平面上：所述沟槽呈现两头细、中间粗的中字型，其中间较粗的部分具有接触孔；所述的掩膜版是呈矩形，且覆盖住沟槽中间较粗的区域及两端延伸出的部分较细的区域；所述的掩膜版以外的区域还具有接触孔，与掩膜版相接但不延伸进入掩膜版区域。
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