[发明专利]用于引燃低压等离子体的方法和装置无效
| 申请号： | 201210290689.7 | 申请日： | 2006-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102820199A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·赫德森;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于在等离子体处理系统中引燃等离子体的方法，该系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电极和引燃电极。该方法包括将基片引入该等离子体处理室。该方法还包括将气体混合物流入该等离子体处理室；在激发频率激励该引燃电极；并且使用该引燃电极从该气体混合物激发等离子体。该方法进一步包括使用目标频率激励该至少一个通电电极，其中该激发频率高于该目标频率；并且当在该等离子体处理室中处理该基片时去激励该引燃电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 引燃 低压 等离子体 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体引燃装置，其配置为在等离子体处理室中激发等离子体，所述装置包括：引燃电极，其配置为以激发频率从气体混合物激发等离子体；至少一个通电电极，其配置为以目标频率维持所述等离子体，其中，所述激发频率大于所述目标频率，所述引燃电极的第一表面面积大体上小于所述至少一个通电电极的第二表面面积，以及当在所述等离子体处理室中处理基片时所述引燃电极被去激励。
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