[发明专利]静电保护触发电路有效

申请号：	201210291056.8	申请日：	2012-08-16
公开（公告）号：	CN103594465A	公开（公告）日：	2014-02-19
发明（设计）人：	苏庆;王邦磷;苗彬彬	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	丁纪铁
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种静电保护触发电路，包括：第一级电路包括：第一PMOS管，其源极漏极接静电输入端，其栅极通过第一电阻接地；第二级电路包括：第二PMOS管，其源极接静电输入端，其漏极接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极接地；第三级电路包括：第二NMOS管，其漏极接静电输入端，其源极接第三NMOS管的栅极；第三PMOS管，其源极接静电输入端，其漏极接第三NMOS管的漏极；第三PMOS管源极接地；其中，第一PMOS管的栅极接第二PMOS管和第一NMOS管的栅极；第二PMOS管的漏极接第二NMOS管和第三PMOS管的栅极；第三PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极相连引出作为本静电保护触发电路的触发输出端。本发明的静电保护触发电路与现有静电保护触发电路相比较能降低静电保护触发电路开启电压，提升静电保护触发电路泄放电流能力。
搜索关键词：	静电保护触发电路
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【主权项】：

一种静电保护触发电路，其特征是，包括：第一级电路包括：第一PMOS管，其源极漏极接静电输入端，其栅极通过第一电阻接地；第二级电路包括：第二PMOS管，其源极接静电输入端，其漏极接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极接地；第三级电路包括：第二NMOS管，其漏极接静电输入端，其源极接第三NMOS管的栅极；第三PMOS管，其源极接静电输入端，其漏极接第三NMOS管的漏极；第三PMOS管源极接地；其中，第一PMOS管的栅极接第二PMOS管和第一NMOS管的栅极；第二PMOS管的漏极接第二NMOS管和第三PMOS管的栅极；第三PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极相连引出作为本静电保护触发电路的触发输出端。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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