[发明专利]硅外延生长的工艺方法

摘要

本发明公开了一种硅外延生长的工艺方法，包括：1）在硅基底上，生长二氧化硅或氮化硅掩蔽层，或以二者叠加作为掩蔽层；2）形成硅单晶生长窗口；3）对硅单晶生长窗口进出预处理，形成厌氧表面；4）进行第一硅单晶外延生长；5）在第一硅单晶外延上生长第二硅单晶，在掩蔽层上生长第一硅多晶；6）在第二硅单晶上生长第三硅单晶，在第一硅多晶上生长第二硅多晶。本发明可实现多层次外延结构同步生长，实现同等沟槽宽度下，较高硅单晶有效区域，并减少高温多晶层厚度，实现更低硅多晶表面粗糙度，可应用于平面光波导功率分路器的制造中。

主权项

一种硅外延生长的工艺方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅基底上，生长二氧化硅或氮化硅掩蔽层，或以二者叠加作为掩蔽层；2）通过光刻刻蚀工艺，在硅基底上，形成硅单晶生长窗口；3）对硅单晶生长窗口进出预处理，形成厌氧表面；4）在硅单晶生长窗口，进行第一硅单晶外延生长；5）通过外延多晶硅籽晶层生长，使在第一硅单晶外延上生长第二硅单晶，在掩蔽层上生长第一硅多晶；6）在外延多晶硅籽晶层上进行全外延层生长，使在第二硅单晶上继续生长第三硅单晶，在第一硅多晶上继续生长第二硅多晶。