[发明专利]一种用碎硅片作为籽晶来铸造多晶硅锭的方法无效
| 申请号： | 201210291256.3 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102776557A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张新涛;汪兴华;黄林 | 申请（专利权）人： | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 332900 江西省九江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用碎硅片作为籽晶来生产多晶硅锭的方法，该方法采用在坩埚内装料时，先在已做过涂层的陶瓷坩埚底部铺上一定厚度的碎硅片，并在熔化阶段保持一定厚度的碎硅片不被熔化掉，然后转入晶体生长阶段进行多晶铸锭，其中铺的碎硅片厚度在3mm以上，熔化阶段保持坩埚底部不熔化的碎硅片厚度为3mm以上。本发明的目的在于提供一种高质量多晶硅铸锭的方法，降低长晶过程中产生的位错，同时减少坩埚底部杂质扩散，从而提高相应硅片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 作为 籽晶 铸造 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种用碎硅片作为籽晶来铸造多晶硅锭的方法，其特征在于，包括以下步骤：a、将碎硅片铺于坩埚底部，坩埚其余空间可以装原生多晶硅或单、多晶循环料配料，装入多晶铸锭炉的炉体并封闭后，开始抽气、加热；b、在化料阶段，保持底部部分碎硅片不被熔化掉，然后转入长晶阶段；c、初期长晶，长晶阶段的前三个小时，速度为0.1‑1.5厘米/小时；d、中期长晶速度为1‑1.8厘米/小时，后期长晶速度为0.4‑1厘米/小时；e、长晶过程完成后，进入退火、冷却步骤，冷却完成后取出多晶硅锭。
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