[发明专利]光组件有效
申请号: | 201210291280.7 | 申请日: | 2012-08-15 |
公开(公告)号: | CN103309060A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 矢作晃;渡边聪明 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种在激光加工用途中使用小型化的高消光比的光组件,例如光纤维激光使用的光隔离器用的小型的高消光比的光组件。该光组件,包括在波长1.06μm的维德常数为0.27min/(Oe·cm)以上的法拉第转子以及在上述法拉第转子的外周配置的中空磁铁,其特征在于:在所述法拉第转子上施加的磁通密度B(Oe)在下述式(1)的范围内,所述法拉第转子的样品长度L(cm)在下述式(2)的范围内,所述法拉第转子的外径D(cm)在下述式(3)的范围内,并且,具有1dB以下的插入损耗以及35dB以上的消光比。0.5×104≦B≦1.5×104 (1),0.70≦L≦1.10 (2),0.20≦D≦0.60 (3)。 | ||
搜索关键词: | 组件 | ||
【主权项】:
一种光组件,包括在波长1.06μm的维德常数为0.27min/(Oe·cm)以上的法拉第转子以及在所述法拉第转子的外周配置的第1中空磁铁以及将该第1中空磁铁在光轴上夹持而配置的第2以及第3的中空磁铁单元,其特征在于:第2以及第3中空磁铁单元,由对光轴成90度均等分割的2个以上的磁铁来构成,在所述法拉第转子上施加的磁通密度B(Oe)在下述式(1)的范围内,所述法拉第转子的样品长度L(cm)在下述式(2)的范围内,所述法拉第转子的外径D(cm)在下述式(3)的范围内。0.5×104≦B≦1.5×104 (1)0.70≦L≦1.10 (2)0.20≦D≦0.60 (3)
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