[发明专利]具有边缘端部结构的沟槽半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210291502.5 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103426738B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王培林;陈菁菁;E·D·德弗莱萨特 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件及其形成方法的实施例包括提供具有顶表面、底表面、有源区和边缘区的半导体衬底，以及在半导体衬底的有源区中的第一沟槽中形成栅结构。在半导体衬底的边缘区中的第二沟槽中形成端部结构。端部结构具有面向有源区的侧面和面向器件周界的侧面。方法进一步包括在邻近栅结构的两侧面的半导体衬底中形成具有第一导电类型的第一和第二源区。在邻近端部结构的面向有源区的侧面的半导体衬底中形成第三源区。例如，半导体器件可为沟槽金属氧化物半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 边缘 结构 沟槽 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供具有顶表面、底表面、有源区和边缘区的半导体衬底；在半导体衬底的有源区中在第一沟槽中形成栅结构，其中栅结构具有第一侧面和第二侧面；在半导体衬底的边缘区中在第二沟槽中形成端部结构，其中端部结构具有面向有源区的侧面和面向器件周界的侧面，并且端部结构包括边缘电极和形成在边缘电极与第二沟槽的壁之间的栅极氧化物；邻近于栅结构的第一侧面和第二侧面在半导体衬底中形成第一导电类型的第一和第二源区，以及邻近于并接触端部结构的面向有源区的侧面在半导体衬底中形成第三源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
