[发明专利]非挥发性存储器单元及其制造方法

摘要

本发明提供一种非挥发性存储器单元及其制造方法。上述非挥发性存储器单元包括一半导体基板；一浮动栅极，具有一顶面和一底面；一控制栅极，设置于上述浮动栅极上，其中，上述浮动栅极的上述顶面沿非挥发性存储器单元的一通道方向的宽度小于上述控制栅极沿通道方向的宽度；一穿隧氧化层，设置于上述浮动栅极与上述半导体基板之间；一多晶硅间介电膜，设置于上述浮动栅极与上述控制栅极之间。本发明可提升存储器单元的程序化操作和抹除操作速度，大幅地降低操作电压，以提升存储器单元的可靠度。

主权项

一种非挥发性存储器单元，包括：一半导体基板；一浮动栅极，具有一顶面和一底面；一控制栅极，设置于该浮动栅极上，其中，该浮动栅极的该顶面沿该非挥发性存储器单元的一通道方向的宽度小于该控制栅极沿该通道方向的宽度；一穿隧氧化层，设置于该浮动栅极与该半导体基板之间；以及一多晶硅间介电膜，设置于该浮动栅极与该控制栅极之间。