[发明专利]晶体硅太阳能电池的制备方法无效
申请号: | 201210292348.3 | 申请日: | 2012-08-16 |
公开(公告)号: | CN102800753A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 范志东;郭延岭;赵学玲;张小盼 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;余刚 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法。该方法包括制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结,在制绒步骤之前进一步包括对硅片进行抛光的步骤。应用本发明的技术方案,通过增加抛光工序,减薄了损伤层的厚度,后续再通过制绒和湿法刻蚀彻底消除损伤层的存在,从而避免了载流子因损伤层的复合,进而提高了载流子的寿命,使晶体硅太阳电池的转换效率提升。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池的制备方法,包括制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结,其特征在于,在所述制绒步骤之前进一步包括对硅片进行抛光的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的