[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在衬底上依次形成第一缓冲层、第一无定形碳层、第二缓冲层以及第二无定形碳层，利用第二无定形碳层作掩膜刻蚀第一无定形碳层形成无定形碳牺牲栅极，并利用第二缓冲层覆盖在无定形碳牺牲栅极上，并在堆叠结构侧壁形成保护层，所述保护层和覆盖在无定形碳牺牲栅极上的第二缓冲层共同保护所述无定形碳牺牲栅极，防止后续进行的氧气灰化工艺中的等离子体损伤所述无定形碳牺牲栅极，确保最终形成的金属栅极的质量。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一缓冲层、第一无定形碳层、第二缓冲层以及第二无定形碳层；在所述第二无定形碳层上形成图形化的光阻层；以所述图形化的光阻层为掩膜，刻蚀所述第二无定形碳层形成图形化的第二无定形碳层，同时所述图形化的光阻层被消耗掉；以所述图形化的第二无定形碳层为掩膜，刻蚀所述第二缓冲层以及第一无定形碳层形成图形化的第二缓冲层和图形化的第一无定形碳层，同时所述图形化的第二无定形碳层被消耗掉；以所述图形化的第二缓冲层和图形化的第一无定形碳层为掩膜，刻蚀所述第一缓冲层形成图形化的第一缓冲层，以形成堆叠结构；以及在所述堆叠结构侧壁形成保护层。