[发明专利]具有存片槽的薄膜工艺系统及其存取片方法有效
申请号: | 201210292672.5 | 申请日: | 2012-08-16 |
公开(公告)号: | CN102820245A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 黄海 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种具有存片槽的薄膜工艺系统,包括依次顺序连接的晶片存储单元、晶片传送腔体、真空送片腔、工艺腔,以及设置在所述晶片传输腔体和所述真空送片腔之间的真空存片腔。所述真空存片腔进一步包括具有与所述真空存片腔连通的泵抽单元,所述泵抽单元用于为所述真空存片腔提供真空氛围或者大气氛围,且在所述真空存片腔内活动设置所述存片槽。本发明所述具有存片槽的薄膜工艺系统通过增加具有活动设置存片槽的真空存片腔不仅有效的减少已工艺晶片存在风险的等候时间,并避免已经过薄膜工艺的晶片和待工艺晶片之间的相互影响,而且规避了潜在风险,提高了产品性能和品质。 | ||
搜索关键词: | 具有 存片槽 薄膜 工艺 系统 及其 存取 方法 | ||
【主权项】:
一种具有存片槽的薄膜工艺系统,其特征在于,所述具有存片槽的薄膜工艺系统包括依次顺序连接的晶片存储单元、晶片传送腔体、真空送片腔、工艺腔,以及设置在所述晶片传输腔体和所述真空送片腔之间的真空存片腔;晶片存储单元,所述晶片存储单元用于存储所述待工艺的晶片;真空存片腔,所述真空存片腔用于存储已经过薄膜工艺的晶片;晶片传输腔体,所述晶片传输腔体内设置所述大气传送装置,所述大气传送装置用于所述待工艺晶片在所述晶片存储单元和所述晶片传输腔体之间传送,以及所述已经过薄膜工艺的晶片在所述晶片存储单元与所述真空存片腔之间传送;真空送片腔,所述真空送片腔内进一步设置所述真空传送装置,所述真空传送装置用于所述待工艺晶片在所述晶片传送腔和所述工艺腔之间传送,以及所述已经过薄膜工艺的晶片在所述工艺腔和所述真空存片腔之间传送;真空存片腔,所述真空存片腔进一步包括具有与所述真空存片腔连通的泵抽单元,所述泵抽单元用于为所述真空存片腔提供真空氛围或者大气氛围,且在所述真空存片腔内活动设置所述存片槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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