[发明专利]一种选择性掺杂区域特性的检测方法有效
| 申请号： | 201210292898.5 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102856225A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;王学孟;林杨欢 | 申请（专利权）人： | 顺德中山大学太阳能研究院 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 528300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性掺杂区域特性的检测方法，该方法利用聚焦激光束在选择性掺杂区域及其周边区域进行扫描，同时测量每点产生的光电流，通过对比分析选择性掺杂前后光电流的变化，可以对选择性掺杂的均匀性和电阻进行表征，从而指导制备选择性发射极的工艺改进。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 掺杂 区域 特性 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性掺杂区域特性的检测方法，其特征是：采用光束诱导电流技术即聚焦激光束在硅片表面扫描，同时记录扫描各点时产生的光电流值，通过测量选择性掺杂前后光电流的变化情况，获得选择性掺杂区域的特性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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