[发明专利]一种铌电容器介质膜强化方法

摘要

本发明一种铌电容器介质膜强化方法，属电子元件制作技术领域，是将现有工艺电化学制造后有介质膜的阳极块进行强化处理，其处理方法是将阳极块在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的电解槽中，以与阳极块连接的电极为正极对阳极块实施电化学氧化。由于对第一次制备的介质氧化膜采取了“干烘+形成”的工艺处理后，明显降低了阳极块的漏电流值，介质膜的晶粒更小，膜层更致密。

主权项

一种铌电容器介质膜强化方法：包括按现有的工艺步骤完成将一氧化铌以钽丝为阳极引出线压制成氧化铌电容器阳极芯块的成型，并在高温真空烧结成多孔阳极块，并将阳极体在稀磷酸水溶液中进行阳极形成，形成介电层，即介质膜，其特征是将电化学制造后有介质膜的阳极块简称阳极块，清洗烘干后依次按以下步骤进行强化处理：步骤1：将阳极块放入温度为250℃～400℃的烘箱中，保持10min～30min；步骤2：阳极块从烘箱中取出后立即放入盛有体积百分比浓度为0.1%～1%、温度为60℃～90℃的硝酸水溶液的电解槽中；步骤3：以与阳极块连接的电极为正极对阳极块实施电化学氧化，施加的电压为此前介质膜制造电压的0.8倍～1.2倍，氧化时间为30min～180min；步骤4：氧化结束后，按现有工艺对阳极块清洗，烘干后抽测阳极块的漏电流值。