[发明专利]双大马士革浅冗余金属制备工艺

摘要

本发明公开了一种双大马士革浅冗余金属制造工艺，通过在通孔光掩模版上添加冗余金属图形，采用金属-介电层-金属作为硬掩模的部分沟槽优先双大马士革工艺形成带有浅冗余金属的双大马士革结构，从而可以在降低金属互连线寄生电容，改善互连RC延迟同时，不会恶化化学机械研磨（CMP）工艺；且工艺简单，不增加工艺步骤，能够完全兼容硬掩模部分沟槽优先铜双大马士革制造工艺。

主权项

一种双大马士革浅冗余金属制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体基体，其中，所述半导体基体上已形成有第N层金属层；在所述第N层金属层上依次淀积刻蚀阻挡层、介电层、介电保护层和硬掩模层，其中，所述硬掩模层从下至上依次包括第一金属硬掩模层、介电硬掩模层及第二金属硬掩模层；在所述硬掩模层上旋涂光刻胶，并通过金属层光掩模版对所述光刻胶进行光刻，在所述光刻胶中形成金属互连线沟槽图形；以所述图形化的光刻胶为掩模，对所述硬掩模层进行刻蚀，在所述硬掩模层中形成金属互连线沟槽图形，并去除剩余的光刻胶；旋涂光刻胶，并通过通孔光掩模版对所述光刻胶进行光刻，其中所述通孔光掩模版上设置有冗余金属图形，在所述光刻胶中形成通孔图形和冗余金属图形；以所述图形化的光刻胶为掩模，对所述介电保护层进行刻蚀，并对所述介电层进行部分刻蚀，在所述介电层中形成部分通孔图形；同时对所述第二金属硬掩模层进行刻蚀，在所述第二金属硬掩模层中形成冗余金属图形；并去除剩余的光刻胶；以图形化的硬掩模层为掩模进行刻蚀，在所述介电层中形成金属互连线沟槽和冗余金属沟槽，并打开所述部分通孔图形底部的刻蚀阻挡层，形成双大马士革结构；对所述双大马士革结构进行金属化，形成具有金属互连线、互连通孔和冗余金属的第N+1层金属层。