[发明专利]晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法。该方法包括制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结，减反射膜的沉积步骤包括：遮挡硅片上的主栅线位置；以及沉积氮化硅形成减反射膜。应用本发明的技术方案，减反射膜的沉积步骤中，首先遮挡硅片上的主栅线位置，然后沉积氮化硅形成减反射膜。这样，通过阻止主栅线位置沉积氮化硅减反射膜，使丝网印刷时浆料可以直接沉积在硅表面，避免了浆料刻蚀氮化硅膜后再与硅表面接触，降低了串联电阻，提高了太阳能电池的电路电流，从而提高了太阳能电池的转换效率；而且该方法不需要增加新的工艺流程，也无需腐蚀和刻蚀处理，降低了太阳能电池的加工成本。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结，其特征在于，所述减反射膜的沉积步骤包括：遮挡硅片上的主栅线位置；以及沉积氮化硅形成所述减反射膜。