[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法

摘要

本发明在图形化衬底表面低温生长成核层，形成凹凸不平的表面，克服传统LED器件结构中由于有源层存在极强的极化场，使得量子阱的能带发生倾斜，电子空穴波函数在空间上发生分离，使其辐射复合效率下降，从而降低LED内量子效率的问题，提供一种晶体质量较好，在弱极性面上实现非平面的有源层结构的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。从而提高LED的内量子效率。

主权项

一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在图形化衬底表面低温生长成核层；对成核层实施高温退火，使其转变成颗粒状晶核，从而形成凹凸不平的表面；在带有颗粒状晶核的生长衬底表面采用纵向生长速率大于横向生长速率的外延工艺生长本征GaN层；在本征GaN层表面依次生长N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层以及P型AlGaN层和掺镁P型GaN层，从而形成具有非平面和弱极性面的LED有源层结构：继续采用纵向生长速率小于横向生长速率的工艺生长表面结构层，从而获得平整的表面。