[发明专利]一种电荷补偿MOS半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210294747.3 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103594514A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电荷补偿MOS半导体装置，本发明的半导体装置接一定的反向偏压时，漂移层中第一传导类型的半导体材料和沟槽内下部掺氧多晶半导体材料形成电荷补偿结构，提高器件的反向击穿电压，改善了传统半导体器件导通电阻与反向阻断特性之间的矛盾。本发明还提供了一种电荷补偿MOS半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 补偿 mos 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电荷补偿MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层表面，沟槽内下部设置有掺氧多晶半导体材料；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于沟槽间漂移层上部；源区，为第一传导类型的半导体材料，位于体区内上部临靠沟槽和器件表面；栅极介质，为多晶半导体材料或金属，位于沟槽内上部，栅极介质与体区和源区间通过绝缘材料层进行隔离。
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