[发明专利]半导体装置及其制造方法、固体摄像装置及其制造方法以及电子单元

摘要

一种半导体装置及其制造方法、固体摄像装置及其制造方法以及电子单元，所述固体摄像装置包括：形成于基板的表面上的元件形成区；将形成于基板上的各像素隔离的元件隔离部；光电转换元件；以及埋入沟道型MOS晶体管。埋入沟道型MOS晶体管包括源极区和漏极区，它们形成于元件形成区中，所述源极区和漏极区的导电型与元件形成区的导电型相反；沟道区，其具有与元件形成区的导电型相反的第一杂质扩散区和第二杂质扩散区；以及栅极。每个第一杂质扩散区在源极区与漏极区之间形成于与一个元件隔离部邻接侧的区域中。第二杂质扩散区形成于源极区与漏极区之间的整个区域上。本发明可在不改变栅极尺寸的情况下实际上扩大了沟道区。因此，可降低噪声。

主权项

一种固体摄像装置，其包括：基板；元件形成区，其形成于所述基板的前表面上；元件隔离部，其将形成于所述基板上的各像素隔离，每个元件隔离部形成有从所述基板的前表面延伸至期望深度的沟槽以及埋入所述沟槽中的由绝缘材料制成的埋入膜；光电转换元件，其形成于所述元件形成区中，所述光电转换元件根据入射光量生成信号电荷；以及埋入沟道型MOS晶体管，其形成于由所述元件隔离部而与所述光电转换元件隔离的区域中，所述埋入沟道型MOS晶体管包括：源极区和漏极区，它们形成于所述元件形成区的期望区域中，所述源极区和漏极区各为导电型与所述元件形成区的导电型相反的杂质区；沟道区，其具有第一杂质扩散区和第二杂质扩散区，每个第一杂质扩散区为导电型与所述元件形成区的导电型相反的杂质区，并且形成于在所述源极区与所述漏极区之间与一个元件隔离部相邻接的一侧的区域中，所述第二杂质扩散区为与所述第一杂质扩散区具有相同导电型的杂质区，并且形成于所述源极区与所述漏极区之间的整个区域中；以及栅极，其在所述基板上方形成于所述沟道区上，在所述栅极和所述沟道区之间设有栅极绝缘膜。